发明名称 异质接面太阳能电池结构
摘要 异质接面太阳能电池结构,包含有一第一导电型掺杂半导体基板;一经退火处理的钝化层,设于该半导体基板上;一本质非晶矽层,设于该经退火处理的钝化层上;以及一第二导电型掺杂非晶矽层,设于该本质非晶矽层上。
申请公布号 TWM517421 申请公布日期 2016.02.11
申请号 TW104213409 申请日期 2015.08.20
申请人 元晶太阳能科技股份有限公司 发明人 郭正闻;官大明;余承晔
分类号 H01L31/0445(2014.01) 主分类号 H01L31/0445(2014.01)
代理机构 代理人 吴丰任;李俊陞;戴俊彦
主权项 一种异质接面太阳能电池结构,包含有:一第一导电型掺杂半导体基板;一经退火处理的钝化层,设于该半导体基板上;一本质非晶矽层,设于该经退火处理的钝化层上;以及一第二导电型掺杂非晶矽层,设于该本质非晶矽层上。
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