发明名称 |
改良的烷基化方法 |
摘要 |
明提供一种从具有触媒毒物之至少部分未经处理的可烷基化芳族化合物及烷基化剂制造经烷基化的芳族化合物之改良方法,其中在与烷基化反应区分开之处理区中利用具有高于或等于30 in-1 (76 cm-1)的表面积/表面体积比之处理组成物在包括约30℃至约300℃之温度的处理条件下处理该可烷基化芳族化合物流以减少触媒毒物而形成包含该经处理之可烷基化芳族化合物的流出物。 |
申请公布号 |
TWI520929 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW100114447 |
申请日期 |
2011.04.26 |
申请人 |
艾克颂美孚化学专利股份有限公司 |
发明人 |
文森 马修;南达 维杰;希尔顿 泰瑞 |
分类号 |
C07C2/66(2006.01);B01J29/04(2006.01) |
主分类号 |
C07C2/66(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种从具有触媒毒物之至少部分未经处理的可烷基化芳族化合物流及烷基化剂流制造经烷基化的芳族化合物流之方法,其中该可烷基化芳族化合物流系经处理以减少触媒毒物,该方法包含下列步骤:(a)使具有该触媒毒物之该可烷基化芳族化合物流及烷基化剂流与处理组成物在与烷基化反应区分开且位在该烷基化反应区上游之处理区中在处理条件下接触,以除去该触媒毒物之至少一部分及将该可烷基化芳族化合物之至少一部分烷基化,以形成包含经处理之可烷基化芳族化合物、经烷基化的芳族化合物及减量之触媒毒物的经处理之流出物流,其中该处理组成物具有高于30in-1(76cm-1)之表面积/表面体积比,该处理条件包括约30℃至约300℃之温度及约101kPa至约4601kPa之压力,及高于或等于约25:1之未经处理之可烷基化芳族化合物对烷基化剂的莫耳比;及(b)使该流出物流中之该经处理的可烷基化芳族化合物及另外之该烷基化剂流与触媒组成物在与该处理区分开之该烷基化反应区中在至少部分液相催化性转化条件下接触,以形成包含额外之经烷基化的芳族化合物之经烷基化的流出物流,其中该触媒组成物包含具有选自由FAU、*BEA、MOR、MWW及其混合物所组成的群组之构架结构型的多孔性结晶材料,其中该至少部分液相催化性转化条件包括约100℃至约300℃之温度、约689kPa至约4601
kPa之压力、约0.01:1至约25:1之经处理的可烷基化芳族化合物对烷基化剂的莫耳比、及约0.5至约500hr-1之基于烷基化剂的供料重量时空速度(WHSV)。
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地址 |
美国 |