金氧半导体元件的制造方法

摘要

金氧半导体元件的制造方法，步骤如下。首先在基底上形成第一硬罩幕材料层，再图案化第一硬罩幕材料层并移除部分基底，以形成被沟渠环绕的鳍状物与第一硬罩幕层，其中鳍状物在第一方向延伸。接着于沟渠底部形成绝缘层，再于沟渠中的绝缘层上形成闸极导体层，其在第二方向延伸。接着以第一硬罩幕为罩幕进行第一离子植入制程，于鳍状物的侧壁形成第一源极与汲极延伸区。然后移除第一硬罩幕层以裸露出鳍状物顶部，再进行第二离子离子植入制程以于鳍状物顶部形成第二源极与汲极延伸区。

主权项

一种金氧半导体元件的制造方法，包括：在一基底上形成一第一硬罩幕材料层；图案化该第一硬罩幕材料层并移除部分该基底，以形成被一沟渠环绕的一鳍状物与一第一硬罩幕层，其中该鳍状物在第一方向延伸；于该沟渠的底部形成一绝缘层；于该沟渠的该绝缘层上形成一闸极导体层，该闸极导体层在第二方向延伸，其中该闸极导体层的形成方法包括：于该沟渠的该绝缘层上形成一导体材料层；平坦化该导体材料层，留下的该导体材料层的表面高于该第一硬罩幕层的表面；以及图案化该导体材料层，以形成该闸极导体层；以该第一硬罩幕为罩幕，进行一第一离子植入制程，于该鳍状物的侧壁形成一第一源极与汲极延伸区；移除该第一硬罩幕层，裸露出该鳍状物的顶部；以及进行一第二离子离子植入制程，于该鳍状物的顶部形成一第二源极与汲极延伸区。