| 发明名称 |
结晶质半导体的制造方法以及雷射退火装置 |
| 摘要 |
制造装置包括雷射振荡器，输出脉冲雷射；光学系统，引导上述脉冲雷射至非晶质半导体；以及移动装置，为了使上述脉冲雷射对上述非晶质半导体扫描且进行照射，而使上述非晶质半导体相对地移动，其中，上述雷射振荡器输出的脉冲雷射于随时间强度变化中在1脉冲具有多个波峰群，上述波峰群中，具有最大高度的第1波峰群与之后出现的第2波峰群的波峰强度值满足(第2波峰群)/(第1波峰群)≦0.35的关系。上述脉冲雷射照射至非晶质半导体而获得具有均匀特性的结晶质半导体。
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| 申请公布号 |
TWI521607 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
| 申请号 |
TW100108932 |
申请日期 |
2011.03.16 |
| 申请人 |
日本制钢所股份有限公司 |
发明人 |
郑石焕;次田纯一;町田政志 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;叶璟宗 |
| 主权项 |
一种结晶质半导体的制造方法，其中，于形成于基板上的非晶矽薄膜之非晶质半导体(上述基板与上述非晶质半导体之间具有形成有金属膜的区域与未形成有金属膜的区域的非晶质半导体除外)照射脉冲雷射使上述非晶质半导体结晶化时，上述脉冲雷射于随时间强度变化中在1脉冲具有多个波峰群，对上述非晶质半导体照射时，上述波峰群中，具有最大高度的第1波峰群与之后出现的第2波峰群的波峰强度值满足(第2波峰群)/(第1波峰群)≦0.35的关系。
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| 地址 |
日本 |
