Zusammendrückende polykristalline Siliziumschicht und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Verfahren zum Ausbilden eines Grabenkondensators (400), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:•Ausbilden eines Grabens (410) mit Seitenwänden in einem Substrat (420);•Ausbilden einer ersten Platte (430) entlang der Seitenwände (415);•Ausbilden eines Dielektrikums (440) über der ersten Platte (430); und•Ausbilden einer zweiten Platte (450) über dem Dielektrikum (440), wobei das Ausbilden der zweiten Platte (450) aufweist: Ausbilden einer polykristallinen halbleitenden Keimschicht und anschließendes Abscheiden eines ersten zusammendrückenden polykristallinen halbleitenden Materials unter amorphen Abscheidungsbedingungen sowie Ausbilden eines zweiten dehnenden polykristallinen halbleitenden Materials über dem ersten zusammendrückenden polykristallinen halbleitenden Material.