发明名称 |
隔室遮蔽之多晶片封装构造 |
摘要 |
一种隔室遮蔽之多晶片封装构造,包含一基板、在基板上之一第一晶片与一第二晶片、一结合在基板上之屏蔽间隔件、一形成于基板上之封胶体以及一金属遮蔽层。屏蔽间隔件间隔在两晶片之间并电性连接至基板接地层。封胶体密封两晶片与屏蔽间隔件。金属遮蔽层形成在封胶体之一上表面上,并电性连接至屏蔽间隔件。屏蔽间隔件之一第一设置高度大于第一晶片之一第二设置高度,且不大于封胶体之一封装厚度,以使屏蔽间隔件内置于封胶体中。因此,本创作利用多面不同元件的内外遮蔽组合以降低多晶片间电磁波的干扰与降低封装高度。
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申请公布号 |
TWM517418 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
申请号 |
TW104213071 |
申请日期 |
2015.08.13 |
申请人 |
力成科技股份有限公司 |
发明人 |
张家维;袁家祥;沈光仁 |
分类号 |
H01L23/10(2006.01);H01L23/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
许庆祥 |
主权项 |
一种隔室遮蔽之多晶片封装构造,包含:一基板,系包含一接地层;一第一晶片,系设置于该基板上;一第二晶片,系设置于该基板上;一屏蔽间隔件,系结合在该基板上,该屏蔽间隔件系间隔在该第一晶片与该第二晶片之间并电性连接至该接地层;一封胶体,系形成于该基板上,并密封该第一晶片、该第二晶片与该屏蔽间隔件;以及一金属遮蔽层,系形成在该封胶体之一上表面上,并电性连接至该屏蔽间隔件;其中该屏蔽间隔件之一第一设置高度系不小于该第一晶片之一第二设置高度,且不大于该封胶体之一封装厚度,以使该屏蔽间隔件内置于该封胶体中。
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地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |