| 发明名称 | 电阻式记忆体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 电阻式记忆体及其制作方法。此方法是先于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与罩幕层。然后，于基底上形成覆盖第一电极、可变电阻层与罩幕层的介电层。接着，进行蚀刻制程，于介电层与罩幕层中形成开口，此开口暴露出部分可变电阻层。而后，于开口中形成第二电极。之后，于第二电极上形成导电层。 | ||
| 申请公布号 | TWI521758 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
| 申请号 | TW102132266 | 申请日期 | 2013.09.06 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 沈鼎瀛;林孟弘;吴伯伦;李彦德;江明崇 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L21/28(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;叶璟宗 | |
| 主权项 | 一种电阻式记忆体的制作方法，包括：于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与罩幕层；于所述基底上形成介电层，所述介电层覆盖所述第一电极、所述可变电阻层与所述罩幕层；进行蚀刻制程，于所述介电层与所述罩幕层中形成开口，所述开口暴露出部分所述可变电阻层；于所述开口中形成第二电极；以及于所述第二电极上形成导电层。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||