| 发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
| 摘要 |
半导体元件包括：凹陷沟渠，位于基底中；闸绝缘层，包括第一部分及第二部分，第一部分具有第一厚度且覆盖凹陷沟渠之侧壁的下部及凹陷沟渠之底表面，以及第二部分具有第二厚度且覆盖凹陷沟渠之侧壁的上部，第二厚度大于第一厚度；闸电极，填入凹陷沟渠；第一杂质区，具有第一浓度且配置在闸电极的相对侧；以及第二杂质区，具有大于第一浓度的第二浓度且配置在第一杂质区上，以对应闸绝缘层之第二部分。
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| 申请公布号 |
TWI521698 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
| 申请号 |
TW099104464 |
申请日期 |
2010.02.11 |
| 申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
金荣睦;李淳学;李泰喆;郑用相 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/22(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
| 主权项 |
一种半导体元件，包括：凹陷沟渠，位于基底中；闸绝缘层，包括第一部分及第二部分，所述第一部分具有第一厚度且覆盖所述凹陷沟渠之侧壁的下部及所述凹陷沟渠之底表面，以及所述第二部分具有第二厚度且覆盖所述凹陷沟渠之所述侧壁的上部，所述第二厚度大于所述第一厚度；闸电极，填入所述凹陷沟渠；第一杂质区，具有第一浓度且配置在所述闸电极的相对侧；以及第二杂质区，具有大于所述第一浓度的第二浓度且配置在所述第一杂质区上，以对应所述闸绝缘层之所述第二部分，其中所述闸绝缘层之所述第二部分之深度对所述凹陷沟渠之深度的比率为0.67至0.8，所述第二部分之所述深度从所述基底之上表面量测到所述第二部分之底表面，且所述凹陷沟渠之所述深度从所述基底之所述上表面量测到所述凹陷沟渠之所述底表面。
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| 地址 |
南韩 |
