萧基能障二极体及其制造方法

摘要

能障二极体及其制造方法。提供具有相对之第一、第二表面之一半导体基材；形成多个沟槽于半导体基材之该第一表面，各沟槽具有一侧壁和一第一底面，第一底面具有一第一深度。形成一绝缘材料于第一表面上和沟槽之侧壁和第一底面，其中绝缘材料在各沟槽之侧壁具有一第一厚度。图案化(如蚀刻)各沟槽之侧壁之绝缘材料，以在各沟槽中形成一第二底面，第二底面具有一第二深度，该第二深度小于该第一深度，其中各沟槽之侧壁之绝缘材料被蚀刻的厚度为一第二厚度，第二厚度小于第一厚度。之后，形成一接触金属层于相邻两沟槽之间的第一表面上。

主权项

一种萧基能障二极体之制造方法，包括：提供一半导体基材，该半导体基材具有相对之一第一表面和一第二表面；形成复数个沟槽(trenches)于该半导体基材之该第一表面，每一该些沟槽具有一侧壁和一第一底面，该第一底面具有一第一深度；形成一绝缘材料于该第一表面上和每一该些沟槽之该侧壁和该第一底面，其中该绝缘材料在每一该些沟槽之该侧壁具有一第一厚度；图案化该第一表面上之该绝缘材料与每一该些沟槽之该侧壁之该绝缘材料，以移除该第一表面上之该绝缘材料，并在每一该些沟槽中形成一第二底面，该第二底面具有一第二深度，该第二深度小于该第一深度，其中每一该些沟槽之该侧壁之该绝缘材被蚀刻的厚度为一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度；以及形成一接触金属层(Schottky metal)至少于相邻两该沟槽之间的该第一表面上。