半导体装置的制造方法

摘要

明关于一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的电晶体的制造制程中，在氧化矽膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化矽膜；在该氧化矽膜上形成非晶氧化物半导体层；对该非晶氧化物半导体层进行第一加热处理；在进行该第一加热处理后，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜；以及在形成该氧化铝膜之后，对该非晶氧化物半导体层进行第二加热处理，其中，该第二加热处理系以高于该第一加热处理温度的温度所进行。