半导体结构的形成方法及应用其之记忆体形成方法

摘要

体结构的形成方法包括以下步骤。首先，提供基底结构，其中基底结构包括半导体基材、第一氧化物-氮化物-氧化物层(ONO)及第二ONO层。半导体基材具有相对的第一面与第二面，第一ONO层包括于第一面上依序形成之第一氧化物层、第一氮化物层及第二氧化物层，第二ONO层包括于第二面上依序形成之第三氧化物层、第二氮化物层及第四氧化物层。然后，形成氮化物遮蔽层于第一ONO层上。然后，移除第四氧化物层。然后，移除第二氮化物层及氮化物遮蔽层。然后，移除第二氧化物层及第三氧化物层。然后，形成第五氧化物层于第一氮化物层上。

主权项

一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底结构，其中该基底结构包括一半导体基材、一第一氧化物-氮化物-氧化物层(Oxide Nitride Oxide,ONO)及一第二氧化物-氮化物-氧化物层，该半导体基材具有相对的一第一面与一第二面，该第一氧化物-氮化物-氧化物层包括于该第一面上依序形成之一第一氧化物层、一第一氮化物层及一第二氧化物层，该第二氧化物-氮化物-氧化物层包括于该第二面上依序形成之一第三氧化物层、一第二氮化物层及一第四氧化物层；形成一氮化物遮蔽层于该第一氧化物-氮化物-氧化物层上；移除该第四氧化物层；同时移除该第二氮化物层及该氮化物遮蔽层；移除该第二氧化物层及该第三氧化物层；以及形成一第五氧化物层于该第一氮化物层上。