发明名称 | 一种脉冲射频输出功率控制反应等离子体刻蚀的方法 | ||
摘要 | 明提供了一种脉冲射频输出功率控制反应等离子体刻蚀的方法,包括:在反应室内提供一待处理基片,所述基片上包括需刻蚀的材料层;通入刻蚀气体,对所述需刻蚀的材料层进行刻蚀;其中,所述刻蚀气体由以脉冲方式输出射频功率的射频功率源电离为等离子体;且所述射频功率在一个工作周期内的工作时间分为第一脉冲周期和第二脉冲周期,在所述第一脉冲周期内,所述射频功率分若干步阶梯式下降,在所述第二脉冲周期内,所述射频功率分若干步阶梯式上升,从而实现了射频功率在短时间内的稳定变化,避免了现有技术中因功率突变引起的电场中的湍流,从而保证了等离子体刻蚀的选择性和均一性。 | ||
申请公布号 | TWI521596 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
申请号 | TW102138745 | 申请日期 | 2013.10.25 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 徐蕾;林守华;麦仕义 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志青 | |
主权项 | 一种脉冲射频输出功率控制反应等离子体刻蚀的方法,包括:在反应室内提供一待处理基片,所述基片上包括需刻蚀的材料层;通入刻蚀气体,对所述需刻蚀的材料层进行刻蚀,其中,所述刻蚀气体由以脉冲方式输出射频功率的射频功率源电离为等离子体;其中设定P、Q为连续的两个工作周期,所述射频功率源在第P个工作周期内的工作时间分为第一脉冲周期和第二脉冲周期,在所述第一脉冲周期内,所述射频功率分为M1步阶梯式自第一最大值开始连续下降到第一最小值为止,在第二脉冲周期内,所述射频功率分为M2步阶梯式自所述第一最小值开始连续上升到第二最大值为止,以避免由于所述射频功率的突变引起的射频电场中的湍流;所述射频功率源在所述第Q个工作周期内的工作时间分为第三脉冲周期和第四脉冲周期;在所述第三脉冲周期内,所述射频功率分为N1步阶梯式自所述第二最大值开始连续下降到第二最小值为止,在所述第四脉冲周期内,所述射频功率分为N2步阶梯式自所述第二最小值开始连续上升到第三最大值为止,以避免由于所述射频功率的突变引起的射频电场中的湍流;其中,P和Q均为自然数,且P不等于Q;M1、M2、N1、N2均为不小于2的整数。 | ||
地址 | 中国 |