发明名称 Verfahren zum Erzeugen einer latenten Subwellenlängen-Gitterstruktur in einer Resistschicht
摘要 Verfahren zum Erzeugen einer latenten Subwellenlängen-Gitterstruktur in einer Resistschicht zur Herstellung eines Subwellenlängen-Gitters für elektromagnetische Strahlung mit einer minimalen Wellenlänge, mit den Schritten: Bereitstellen einer Resistschicht, Durchführen eines Subwellenlängen-Belichtungsschrittes, bei dem eine Gittergrundstruktur, die eine kleinere Periode als die minimale Wellenlänge aufweist, als Interferenzmuster erzeugt und in einen vorbestimmten Bereich der Resistschicht einbelichtet wird, Durchführen eines Funktionsstruktur-Belichtungsschrittes, bei dem eine Funktionsstruktur, die eine größere Periode als die minimale Wellenlänge aufweist, in den vorbestimmten Bereich der Resistschicht einbelichtet wird, wobei das Interferenzmuster und die Funktionsstruktur so gewählt sind, daß mittels den beiden Belichtungsschritten die latente Subwellenlängen-Gitterstruktur erzeugt wird, die eine Periode kleiner als die minimale Wellenlänge aufweist, und wobei die Belichtungsdosis im Subwellenlängen-Belichtungsschritt so gewählt wird, daß die maximale Dosis nicht oder nur geringfügig größer als die Schwellendosis der Resistschicht ist.
申请公布号 DE102005028232(B4) 申请公布日期 2016.02.11
申请号 DE20051028232 申请日期 2005.06.17
申请人 CARL ZEISS JENA GMBH 发明人 BURKHARDT, MATTHIAS;HELGERT, MICHAEL;SANDFUCHS, OLIVER, DR.;BRUNNER, ROBERT, DR.
分类号 G03F7/20;G02B5/00;G03F7/00 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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