摘要 |
Verfahren zum Erzeugen einer latenten Subwellenlängen-Gitterstruktur in einer Resistschicht zur Herstellung eines Subwellenlängen-Gitters für elektromagnetische Strahlung mit einer minimalen Wellenlänge, mit den Schritten: Bereitstellen einer Resistschicht, Durchführen eines Subwellenlängen-Belichtungsschrittes, bei dem eine Gittergrundstruktur, die eine kleinere Periode als die minimale Wellenlänge aufweist, als Interferenzmuster erzeugt und in einen vorbestimmten Bereich der Resistschicht einbelichtet wird, Durchführen eines Funktionsstruktur-Belichtungsschrittes, bei dem eine Funktionsstruktur, die eine größere Periode als die minimale Wellenlänge aufweist, in den vorbestimmten Bereich der Resistschicht einbelichtet wird, wobei das Interferenzmuster und die Funktionsstruktur so gewählt sind, daß mittels den beiden Belichtungsschritten die latente Subwellenlängen-Gitterstruktur erzeugt wird, die eine Periode kleiner als die minimale Wellenlänge aufweist, und wobei die Belichtungsdosis im Subwellenlängen-Belichtungsschritt so gewählt wird, daß die maximale Dosis nicht oder nur geringfügig größer als die Schwellendosis der Resistschicht ist. |