具有自对准垂直加热器及低电阻率介面之相变化记忆体单元

摘要

自对准垂直加热器元件与一选择装置之一接触区域之间提供一种低电阻率介面材料。将一相变化硫族化物材料直接沈积于该垂直加热器元件上。在一实施例中，该垂直加热器元件呈L形，具有沿着字线方向之一弯曲垂直壁及一水平基底。在一实施例中，该低电阻率介面材料系使用一PVD技术沈积于具有一负轮廓之一沟渠中。该低电阻率介面材料之一上表面可具有一渐缩鸟喙状延伸部。

主权项

一种相变化记忆体单元，其包括：一选择装置；一接触区域，其系在该选择装置上；一介面层，其与该接触区域直接接触；一L形垂直加热器元件，其与该介面层直接接触，其中该L形垂直加热器元件包含一弯曲垂直壁及一水平基底，其中该L形垂直加热器元件之该垂直壁及该水平基底分别具有彼此垂直延伸之一高度及一长度，且其中该L形垂直加热器元件之该垂直壁具有沿垂直于该水平基底之该长度之一方向延伸且沿着一字线方向延伸之一宽度；及一相变化材料，其与该垂直加热器元件直接接触。