修补导柱凸块之方法

摘要

明涉及修补异常刚性导柱凸块的方法，一般而言，本文所揭露的标的关于修补可在半导体晶片或晶圆的金属化系统上方发现的异常刚性导柱凸块。除了其他部分，本文所揭露的一种例示性的方法包含，形成导柱凸块在半导体晶片的金属化系统上方，以及在该导柱凸块上形成复数个切口，其中，当该导柱凸块受到一侧向力时，该复数个切口可被适配成调整该导柱凸块的可挠性。

主权项

一种修补导柱凸块之方法，包括：形成导柱凸块在半导体晶片的金属化系统上方；以及在该导柱凸块中形成复数个切口，其中，形成该复数个切口之每一者包括以切口形成工具接触该导柱凸块之侧面以及以该工具在该导柱凸块上施加实质侧向力，当该导柱凸块受到晶片封装件交互作用力时，该复数个切口适配成调整该导柱凸块的可挠性。