一种第Ⅲ族元素和第Ｖ族元素化合物薄膜生长反应腔的清洁方法

摘要

第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素化合物薄膜生长反应腔的清洁方法，包括以下步骤：反应腔清洁步骤，包括向所述反应腔内通入清洁气体，在所述反应腔内形成该清洁气体的等离子体，维持所述清洁气体的等离子体一第一时间段，以清除所述反应腔内部的沉积物积聚；反应腔状态恢复步骤，包括向所述反应腔内通入包含第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的反应气体，并在所述反应腔内作用一第二时间段，以在所述反应腔内部的表面上形成第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素化合物的涂层。本发明的清洁方法有效、省时，不仅能保证每次清洁的品质和一致性，而且不会对后续薄膜生长工艺产生不利影响。

主权项

一种第Ⅲ族元素和第V族元素化合物薄膜生长反应腔的清洁方法，包括以下步骤：反应腔清洁步骤，包括向所述反应腔内通入清洁气体，在所述反应腔内形成该清洁气体的等离子体，维持所述清洁气体的等离子体一第一时间段，以清除所述反应腔内部的沉积物积聚；反应腔状态恢复步骤，包括向所述反应腔内通入包含第Ⅲ族元素和第V族元素的反应气体，并在所述反应腔内作用一第二时间段，以在所述反应腔内部的表面上形成第Ⅲ族元素和第V族元素化合物的涂层；在实施所述反应腔清洁步骤之前，还包括将反应腔内的基片从反应腔内移出的步骤；在完成反应腔状态恢复步骤后进入化合物薄膜生长过程。