脉冲电化学抛光工艺中优化工艺配方的方法

摘要

本发明提出了一种脉冲电化学抛光工艺中优化工艺配方的方法，包括：步骤1：获取晶圆厚度前值的分布信息，并导入一个原有的工艺配方；步骤2：计算并生成不同晶圆半径处相对运动速度的对应关系，该对应关系已被修正；步骤3：计算并生成晶圆上任一点处电流占空比分布的对应关系，该对应关系已被修正；步骤4：生成一个新的工艺配方替换所述原有的工艺配方，所述新的工艺配方中包含已被修正的相对运动速度的对应关系以及已被修正的电流占空比分布的对应关系。本发明同时考虑了喷头的相对运动速度及电流占空比两大因素，对抛光的去除率进行了控制。

主权项

一种脉冲电化学抛光工艺中优化工艺配方的方法，其特征在于，通过相对运动速度和电流占空比来调节、控制晶圆的去除率，步骤包括：步骤1：获取晶圆厚度前值的分布信息，并导入一个原有的工艺配方；步骤2：计算并生成不同晶圆半径处相对运动速度的对应关系，该对应关系已被修正；步骤3：计算并生成晶圆上任一点处电流占空比分布的对应关系，该对应关系已被修正；步骤4：生成一个新的工艺配方替换所述原有的工艺配方，所述新的工艺配方中包含已被修正的相对运动速度的对应关系以及已被修正的电流占空比分布的对应关系；所述相对运动速度是抛光液喷头相对于晶圆的水平方向的相对运动速度，所述电流占空比是抛光液喷头中控制电流的电流占空比。