| 发明名称 | 替换性金属栅极晶体管 | ||
| 摘要 | 一种替换性金属栅极晶体管。各种范例提供一种包括沟槽、第一侧壁以及第二侧壁的替换性金属栅极晶体管。一层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。 | ||
| 申请公布号 | CN105324847A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201480034680.7 | 申请日期 | 2014.06.13 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 张郢;丝特芬·舍曼 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨贝贝;臧建明 |
| 主权项 | 一种替换性金属栅极晶体管，包括：沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁；以及层，设置于所述沟槽内，所述层具有设置于所述沟槽的所述底部上的底部区域，以及设置于所述第一侧壁及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的所述侧壁区域比所述层的所述底部区域更薄至少50％。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州 | ||