集成闪存器件和高κ金属栅极逻辑器件的凹进的自对准硅化物结构

摘要

本发明提供了一种用于嵌入式闪存器件的集成电路。半导体衬底包括存储区和邻近存储区的逻辑区。逻辑器件布置在逻辑区上方并且包括金属栅极，金属栅极通过具有超过3.9的介电常数的材料与半导体衬底分隔开。闪存单元器件布置在存储区上方。闪存单元器件包括存储单元栅极，存储单元栅极在相对侧上通过相应的介电区电绝缘。硅化物接触焊盘布置在存储单元栅极的顶面上方。存储单元栅极的顶面和硅化物接触焊盘的顶面相对于金属栅极的顶面和介电区的顶面凹进。本发明还提供了用于制造该集成电路的方法。本发明涉及用于集成闪存器件和高κ金属栅极逻辑器件的凹进的自对准硅化物结构。

主权项

一种用于嵌入式闪存器件的集成电路，所述集成电路包括：半导体衬底，包括存储区和邻近所述存储区的逻辑区；逻辑器件，布置在所述逻辑区上方并且包括金属栅极，所述金属栅极通过具有超过3.9的介电常数的材料与所述半导体衬底分隔开；闪存单元器件，布置在所述存储区上方，所述闪存单元器件包括存储单元栅极，所述存储单元栅极在相对侧上通过相应的介电区电绝缘；以及硅化物接触焊盘，布置在所述存储单元栅极的顶面上方，其中，所述存储单元栅极的顶面和所述硅化物接触焊盘的顶面相对于所述金属栅极的顶面和所述介电区的顶面凹进。