| 发明名称 | 半导体存储器件、包括其的存储系统及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件包括：多个存储单元，其耦接在源极线与位线之间；电压发生电路，其适于在擦除操作期间将擦除电压施加至源极线；以及读写电路，其通过选择晶体管耦接至位线，并且适于在擦除操作期间将操作电压施加至选择晶体管的第一节点。 | ||
| 申请公布号 | CN105321562A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410527760.8 | 申请日期 | 2014.10.09 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 具旼奎;许炫;李东奂 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：多个存储单元，其耦接在源极线与位线之间；电压发生电路，其适于在擦除操作期间将擦除电压施加至所述源极线；以及读写电路，其通过选择晶体管耦接至所述位线，并且适于在所述擦除操作期间将操作电压施加至所述选择晶体管的第一节点。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||