一种用于制作嵌入式锗硅的方法

摘要

本发明公开了一种用于制作嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构；刻蚀所述衬底，以去除隔离结构之间的衬底材料；形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除第一半导体层，仅保留第一半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成隔离结构；刻蚀所述衬底，以去除隔离结构之间的衬底材料；形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除所述第一半导体层，仅保留所述第一半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对所述第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在所述第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。