发明名称 | 波导型电光调制器及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种波导型电光调制器,包括波导结构和上下电极,所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层,下电极与下N型半导体包层接触,上电极与上N型半导体包层接触,所述下N型半导体包层和半导体芯层之间具有绝缘体层,或者所述半导体芯层和上N型半导体包层之间具有绝缘体层。本发明还公开了一种波导型电光调制器的制作方法。这种结构的电光调制器可有效的形成电流阻挡,降低光场的波导损耗和微波电极损耗。本发明能够改善电光调制器的调制特性。 | ||
申请公布号 | CN103605218B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
申请号 | CN201310495012.1 | 申请日期 | 2013.10.21 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 熊兵;李进;赵湘楠;孙长征;罗毅 |
分类号 | G02F1/035(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/035(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
主权项 | 一种波导型电光调制器,包括波导结构和上下电极,所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层,下电极与下N型半导体包层接触,上电极与上N型半导体包层接触,其特征在于,所述下N型半导体包层和半导体芯层之间具有绝缘体层,或者所述半导体芯层和上N型半导体包层之间具有绝缘体层;其中,半导体包层、绝缘体层和半导体芯层的折射率分别用n<sub>1</sub>、n<sub>2</sub>、n<sub>3</sub>进行约束,满足n<sub>3</sub>>n<sub>1</sub>、n<sub>3</sub>>n<sub>2</sub>、n<sub>1</sub>>n<sub>2</sub>。 | ||
地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 |