超高压LDMOS器件结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种超高压LDMOS器件结构，包括源端、漏端、高压漂移区和栅极沟道，源端有衬底阱，高压漂移区表面有反型层，该LDMOS中还设计有两个物理上相连的深阱，分别用于放置衬底阱和反型层，两深阱的间隙位于LOCOS鸟嘴附近。本发明还公开了上述结构的LDMOS的制备方法，包括设计深阱的光刻掩膜版、光刻、离子注入、去胶和热推阱等工艺步骤。本发明通过将源端的深阱与高压漂移区的深阱分离，并在离子注入后通过推阱使其连在一起，并使其间隙位于LOCOS鸟嘴下方，从而改善了LOCOS附近的电场分布，降低了其峰值电场，达到了N型和P型电荷平衡，在不增加工艺步骤和成本的基础上，实现了提高器件反向击穿电压的目的。

主权项

超高压LDMOS器件结构，包括源端、漏端、高压漂移区和栅极沟道，其中，源端有衬底阱，该衬底阱的杂质类型与衬底相同；高压漂移区表面有用于耐压的反型层，该反型层的杂质类型与衬底相同；其特征在于，该LDMOS中有两个经高温扩散后相连的深阱，分别用于放置所述衬底阱和所述反型层，两深阱的间隙位于栅极下方的局部氧化硅的鸟嘴附近。