一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，该方法包括以下步骤：1）在H₂气氛下，对衬底进行热处理；2)在N₂、H₂和NH₃的混合气氛下，在热处理后的衬底上由下至上依次生长GaN缓冲层、GaN非掺杂层、掺硅元素的N型GaN掺杂层；3）在N₂和NH₃的混合气氛下，在所述掺硅元素的N型GaN掺杂层上生长GaN/InGaN/GaN量子阱发光层；4）在N₂、H₂和NH₃的混合气氛下，采用2-5次脉冲的方式在所述GaN/InGaN/GaN量子阱发光层上生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，得到氮化镓基发光二极管外延片。本发明在制备氮化镓基发光二极管外延片的过程中，利用2-5次脉冲的方式生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，有效的提高了掺镁元素的P型GaN掺杂层中Mg的激活效率，从而提高发光二极管外延片的亮度。

主权项

一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在H₂气氛下，对衬底进行热处理；2)在N₂、H₂和NH₃的混合气氛下，在热处理后的衬底上由下至上依次生长GaN缓冲层、GaN非掺杂层、掺硅元素的N型GaN掺杂层；3)在N₂和NH₃的混合气氛下，在所述掺硅元素的N型GaN掺杂层上生长GaN/InGaN/GaN量子阱发光层；4)在N₂、H₂和NH₃的混合气氛下，采用2‑5次脉冲的方式在所述GaN/InGaN/GaN量子阱发光层上生长掺镁元素的P型GaN掺杂层，得到氮化镓基发光二极管外延片，其中，所述脉冲的方式为：生长厚度为100‑800nm的掺镁元素的P型GaN掺杂层，然后在N₂气氛下进行退火处理。