| 发明名称 | 具有导电凸块的半导体装置、封装结构及制法 | ||
| 摘要 | 一种具有导电凸块的半导体装置、封装结构及制法，该具有导电凸块的半导体装置，包括：表面上形成有焊垫的衬底；以及形成于该焊垫上的导电凸块，其中，该导电凸块具有连通至其顶面及侧边的凹部，以借其于进行焊接制程时，容纳部分焊料以控制导电凸块与外部接点的间距，并可避免发生空焊的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103137581B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201110455022.3 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 程吕义;邱启新;邱世冠 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种具有导电凸块的半导体装置，包括：衬底，具有多个焊垫；以及多个导电凸块，其底面形成于该焊垫上，且各该导电凸块的顶面形成有至少一凹部，该凹部还连通至该导电凸块侧边及底面。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||