| 发明名称 | 磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了磁控溅射源移动磁体运动控制技术领域中的一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法。包括通过仿真得到移动磁体运动经过n个位置处靶材表面上m个点的水平磁场强度；建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsum<sub>j</sub>(k<sub>i</sub>)；根据所述耦合函数bsum<sub>j</sub>(k<sub>i</sub>)，建立用于计算靶材利用率的目标函数η(k<sub>i</sub>)；以靶材利用率最大化为优化目标，以<img file="DDA00003118819200011.GIF" wi="142" he="136" />且k<sub>i</sub>＞0为约束条件，利用优化遗传算法对所述目标函数η(k<sub>i</sub>)进行优化，得到加权系数k<sub>i</sub>的最优值；利用加权系数k<sub>i</sub>的最优值，推出移动磁体最优运动规律。本发明在实现靶材利用率最大化的同时，实现了最佳的刻蚀均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN103218498B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201310153699.0 | 申请日期 | 2013.04.27 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王人成;张若凡;程嘉;于璐嘉;柳世强;何崇恺 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 朱琨 |
| 主权项 | 一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法，其特征是所述方法包括：步骤1：通过仿真得到移动磁体运动经过靶材表面n个位置处上m个点的水平磁场强度；其中，n和m均为设定值；步骤2：建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsum<sub>j</sub>(k<sub>i</sub>)；其中，k<sub>i</sub>为移动磁体运动经过第i个位置处的加权系数；步骤3：根据所述耦合函数bsum<sub>j</sub>(k<sub>i</sub>)，建立用于计算靶材利用率的目标函数η(k<sub>i</sub>)；步骤4：以靶材利用率最大化为优化目标，以<img file="FDA0000818209680000011.GIF" wi="178" he="164" />且k<sub>i</sub>>0为约束条件，利用遗传算法对所述目标函数η(k<sub>i</sub>)进行优化，得到加权系数k<sub>i</sub>的最优值；步骤5：利用加权系数k<sub>i</sub>的最优值，推出移动磁体最优运动规律。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||