紫外光发光二极管及其制造方法

摘要

示例性实施例提供了一种紫外光发光二极管及其制造方法。该制造UV光发光二极管的方法包括生长包括AlGaN的第一n型半导体层，其中第一n型半导体层的生长包括改变生长腔室内的生长压力以及改变引入到生长腔室内的n型掺杂物源的流速。在第一n型半导体层生长过程中改变压力包括至少一个随时间压力增长周期和压力下降周期的循环，且n型掺杂物源流速的改变包括以至少一个脉冲的形式增大n型掺杂物源的流速。通过该方法制造的UV光发光二极管具有良好的结晶度。

主权项

一种制造紫外光发光二极管的方法，其包括：在生长腔室内，在生长衬底上形成n型半导体层；以及在n型半导体层上形成有源层和p型半导体层，其中，形成n型半导体层包括生长包括AlGaN的第一n型半导体层，生长第一n型半导体层包括改变生长腔室内的生长压力以及改变引入生长腔室中的n型掺杂物源的流速，在第一n型半导体层的生长过程中改变生长压力包括执行至少一个压力增长周期和压力下降周期的循环，并且改变n型掺杂物源的流速包括以脉冲形式提高n型掺杂物源的流速。