| 发明名称 | 一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件及其制造方法。本发明公开了一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件制造方法，其特征在于将Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>烧结体进行HIP处理再进行热处理，也可直接进行热处理，所述热处理方法为将Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>烧结体置于真空或N<sub>2</sub>气氛中在1300～1500℃下保温10～30h。本发明通过热处理方法使得Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>烧结体中晶界相进一步被烧结体所含的Sialon相吸收，可以减少Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>晶界相含量并促进晶界相结晶从而提高晶界相的强度，且使晶界相与基体材料之间的结合力得到提高，另外，这一方法还可以有效提高Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>烧结体的高温性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105315010A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410249492.8 | 申请日期 | 2014.06.06 |
| 申请人 | 上海材料研究所 | 发明人 | 张培志;祁海;郭方全 |
| 分类号 | C04B41/80(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人 | 于晓菁 |
| 主权项 | 一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件的制造方法，其特征在于将Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>烧结体进行HIP处理再进行热处理，也可直接进行热处理，所述热处理方法为将Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>烧结体置于真空或N<sub>2</sub>气氛中在1300～1500℃下保温10～30h。 | ||
| 地址 | 200437 上海市虹口区邯郸路99号 | ||