发明名称 具有混合储存模式的固态储存装置
摘要 一种具有混合储存模式的固态储存装置,主要由一快闪记忆体以及一与该快闪记忆体信息连接的数据处理模块。其中,该快闪记忆体包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区,该第一储存磁区的实体区块地址为P<sub>0</sub>至P<sub>M-1</sub>,逻辑区块地址为L<sub>0</sub>至L<sub>M-1</sub>,而该第二储存磁区的实体区块地址为P<sub>M</sub>至P<sub>M+N-1</sub>,该逻辑区块地址为L<sub>M</sub>至L<sub>M+N-1</sub>。该数据处理模块具有一解读一指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式。据此,以提供一种具高稳定性及高数据储存容量的固态储存装置。
申请公布号 CN105320463A 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201410331434.X 申请日期 2014.07.11
申请人 宇瞻科技股份有限公司 发明人 廖崟权;潘鸿文
分类号 G06F3/06(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I 主分类号 G06F3/06(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 王玉双;常大军
主权项 一种具有混合储存模式的固态储存装置,其特征在于,包括有:一快闪记忆体,包含有一以一第一电位储存模式储存数据的第一储存磁区以及一以相异于该第一电位储存模式的一第二电位储存模式储存数据的第二储存磁区,该第一储存磁区包含有M个数据区块,该第二储存磁区包含有N个数据区块,每一该数据区块分别对应一实体区块地址以及一逻辑区块地址,该第一储存磁区的实体区块地址为P<sub>0</sub>至P<sub>M‑1</sub>,而该逻辑区块地址为L<sub>0</sub>至L<sub>M‑1</sub>,该第二储存磁区的实体区块地址为P<sub>M</sub>至P<sub>M+N‑1</sub>,而该逻辑区块地址为L<sub>M</sub>至L<sub>M+N‑1</sub>;以及一数据处理模块,与该快闪记忆体信息连接,具有一接受一指令并解读该指令所包含的该逻辑区块地址而于对应的该实体区块地址执行指令动作的数据处理模式。
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