硅片的键合方法

摘要

本发明公开了一种硅片的键合方法，包括步骤：提供一载片并对载片进行清洗；在载片表面上进行键合胶水旋涂；对键合胶水进行去边处理；将硅片和载片进行键合，键合后要求保证键合胶水都位于硅片所覆盖区域的内侧。本发明通过在硅片和载片的键合之前，对键合胶水进行去边处理，能够使硅片和载片键合后，在硅片的侧壁不再有键合胶水，这样能够在对硅片进行解离时降低硅片的破片率，尤其是能够有效的解决采用Taikio工艺形成的在外周带有支撑环的硅片在解离时的破片问题，且本发明，能够很好的很现有整体工艺和设备结合，不需要增加额外的成本。

主权项

一种硅片的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一用于和硅片进行键合的载片，并对所述载片进行清洗；步骤二、在所述载片表面上进行键合胶水旋涂；步骤三、将位于所述载片的外周边缘向内收缩一段距离的环形区域上的所述键合胶水去除，去除外周部分后的所述键合胶水的外周边缘所围区域小于所述硅片的外周边缘所围区域；步骤四、去除所述键合胶水的外周部分后，通过所述键合胶水将所述硅片和所述载片进行键合，键合后要求保证所述键合胶水都位于所述硅片所覆盖区域的内侧；还包括步骤：步骤五、在步骤四的键合之前、或者之后，对所述硅片进行研磨减薄；该研磨减薄使所述硅片形成由基片区域和围绕在所述基片区域外周的支撑环组成的结构，所述支撑环的厚度大于所述基片区域的厚度并用于对所述基片区域进行支撑，所述基片区域用于形成半导体器件；步骤六、所述硅片和所述载片键合后、且所述硅片进行了研磨减薄后，在所述硅片的所述基片区域进行半导体器件的工艺加工，之后，对所述键合胶水进行解离使所述硅片和所述载片分开。