具有减小的栅极电荷的沟槽式MOSFET

摘要

本发明涉及具有减小的栅极电荷的沟槽式MOSFET。沟槽式MOSFET设备(100)包括第一掺杂类型的半导体层(180)。MOS晶体管单元(110、120)处于半导体层内的第二掺杂类型的主体区(160)内。晶体管单元包括第一单元类型(110)，其包括提供第一栅电极(170)的第一沟槽，且第一源极区(150)形成于主体区内。第一栅电极与第一源极区电隔离。第二单元类型(120)具有提供第二栅电极(175)的第三沟槽，且第二源极区(150a)处于主体区内。导电构件(195)直接将第二栅电极、第一源极区和第二源极区连接在一起。

主权项

一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管设备，即沟槽式MOSFET设备，其包括：衬底，其包括第一掺杂类型的半导体层，多个MOS晶体管单元形成在所述半导体层中，包括在所述半导体层内的第二掺杂类型的主体区，所述多个MOS晶体管单元还包括：第一晶体管单元类型，即第一晶体管单元，其包括至少一个第一导体填充电介质内衬沟槽即第一沟槽以及形成在所述主体区内的所述第一掺杂类型的第一源极区，所述第一沟槽提供第一栅电极或所述第一栅电极处于所述第一沟槽和第二导体填充电介质内衬沟槽即第二沟槽之间的所述半导体层的半导体表面上，所述第一栅电极与所述第一源极区电隔离，以及第二晶体管单元类型，即第二晶体管单元，其邻近所述第一晶体管单元，具有第三导体填充电介质内衬沟槽即第三沟槽以及形成在所述主体区内的所述第一掺杂类型的第二源极区，所述第三沟槽提供第二栅电极，或所述第二栅电极处于所述第三沟槽和第四导体填充电介质内衬沟槽即第四沟槽之间的所述半导体表面上，以及导电构件，其直接将所述第二栅电极、所述第一源极区和所述第二源极区连接在一起。