发明名称 一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置
摘要 本发明公开了一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,包括步骤:制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;制造载气流场;形成纳米材料雾化液滴;载气流场带动纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。本发明还公开了一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置,包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器。本发明能够通过制造均匀的载气流场,实现均匀的雾化液滴流,极大地提高了基片表面雾化液滴的覆盖均匀性,从而提高纳米材料的成膜均匀性,更好地实现了对成膜厚度的控制。此外,本发明所述方案对操作环境、基片类型、纳米材料的类型等因素具有很好的适应性。
申请公布号 CN103043601B 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201310001074.2 申请日期 2013.01.04
申请人 上海交通大学 发明人 侯中宇;房茂波
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人 郑立
主权项 一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;2)在步骤1)中所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液上方的气体中,利用向上气流发生器制造载气流场;3)雾化步骤1)所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液,利用超声雾化器形成纳米材料雾化液滴;4)步骤2)所述的载气流场带动步骤3)形成的所述纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面;所述步骤2)的制造载气流场和所述步骤3)的形成雾化液滴是两个独立的过程,所述步骤2)和所述步骤3)的过程参数可以分别控制。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号