半导体存储器件及其操作方法

摘要

一种操作方法包括在施加第一通过电压至多个字线时，使单元存储串之中的未选中单元存储串的沟道区偏置至初始电压；使未选中单元存储串的沟道区浮置；在沟道区的浮置期间将第一通过电压增加至第二通过电压；以及从单元存储串之中的选中单元存储串的选中存储器单元读取数据。

主权项

一种三维半导体存储器件的操作方法，所述三维半导体存储器件包括单元存储串，每个单元存储串具有层叠在衬底之上并且耦接至多个字线的存储器单元，所述操作方法包括：在把第一通过电压施加至所述多个字线时，使所述单元存储串之中的未选中单元存储串的沟道区偏置至初始电压；使所述未选中单元存储串的沟道区浮置；在所述沟道区的浮置期间将所述第一通过电压增加至第二通过电压；以及从所述单元存储串之中的选中单元存储串的选中存储器单元读取数据。