发明名称 | 用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法,包括:提供具有电路布局、第一光掩模图与第二光掩模图的第一基板,其中第一光掩模图与第二光掩模图依序叠置于电路布局上,且第一光掩模图与第二光掩模图分别相对于电路布局具有不相等的x轴向可容许偏差范围与y轴向可容许偏差范围;获取第一光掩模图相对于第二光掩模图的座标偏移量;以及计算座标偏移量相对上述x轴向可容许偏差范围与上述y轴向可容许偏差范围的偏移差值,并将第一倍数的上述座标偏移量与第二倍数的上述偏移差值进行加总,以获得x轴向补偿参数与y轴向补偿参数作为最终补偿参数。 | ||
申请公布号 | CN105321799A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
申请号 | CN201410338417.9 | 申请日期 | 2014.07.16 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘恩铨;郭腾钦;白源吉;尤春祺 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
主权项 | 一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法,包括:提供一第一基板,该第一基板具有一电路布局、一第一光掩模图与一第二光掩模图,其中该第一光掩模图与该第二光掩模图依序叠置于该电路布局上,该第一光掩模图与该第二光掩模图相对于该电路布局具有一x轴向可容许偏差范围与一y轴向可容许偏差范围,该x轴向可容许偏差范围不等于该y轴向可容许偏差范围;获取该第一光掩模图相对于该第二光掩模图的一座标偏移量;以及计算该座标偏移量相对该x轴向可容许偏差范围与该y轴向可容许偏差范围的一偏移差值,并将一第一倍数的该座标偏移量与一第二倍数的该偏移差值进行加总,以获得一x轴向补偿参数与一y轴向补偿参数作为一最终补偿参数。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市 |