| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极和漏极，以及位于所述源极和所述漏极之间的半导体层上的栅极；与所述源极电连接的源极场板；位于所述栅极和所述源极场板之间的高介电常数介质层，所述高介电常数介质层的介电常数大于3.9。本发明所述的半导体器件具有较大的栅源电容，从而使得该半导体器件和与该半导体器件级联的结构的各节点电容能够匹配。 | ||
| 申请公布号 | CN105322005A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510183869.9 | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 发明人 | 陈洪维;裴轶;张乃千 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 路凯;胡彬 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极和漏极，以及位于所述源极和所述漏极之间的半导体层上的栅极；与所述源极电连接的源极场板；位于所述栅极和所述源极场板之间的高介电常数介质层，所述高介电常数介质层的介电常数大于3.9。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室 | ||