二次复位电路及复位方法

摘要

本发明提供了一种使用二次复位电路来复位芯片的方法，第二电阻、第一电容和第二电容的一端分别与第一电阻的一端相连，另一端与三极管的发射极相连并接地，第一电阻的另一端与芯片的Core电压线相连；三极管的基极与第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容的一端相连，集电极与场效应管的栅极相连，发射极与场效应管的源极相连；第三电容的一端与场效应管的栅极相连，另一端与场效应管的源极相连；第三电阻的一端与三极管的集电极相连，另一端与第四电阻串联并连接至场效应管的漏极；芯片的I/O电压线连接至第三电阻和第四电阻之间，且场效应管的漏极经第五电阻与Reset信号线连接。本发明不仅能实现二次复位，而且还能灵活地适应于不同芯片的个性化要求。

主权项

一种使用二次复位电路来复位芯片的方法，其特征在于，所述二次复位电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、三极管(Q1)以及场效应管(Q2)，第二电阻(R2)、第一电容(C1)和第二电容(C2)的一端分别与第一电阻(R1)的一端相连接，而它们的另一端与三极管(Q1)的发射极相连接并接地，第一电阻(R1)的另一端与芯片的Core电压线相连接；三极管(Q1)的基极与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)和第二电容(C2)的所述一端相连接，三极管(Q1)的集电极与场效应管(Q2)的栅极相连接，并且三极管(Q1)的发射极与场效应管(Q2)的源极相连接；第三电容(C3)的一端与场效应管(Q2)的栅极相连接，另一端与场效应管(Q2)的源极相连接；第三电阻(R3)的一端与三极管(Q1)的集电极相连接，另一端与第四电阻(R4)串联并连接至场效应管(Q2)的漏极；芯片的I/O电压线连接至第三电阻(R3)和第四电阻(R4)之间，并且场效应管(Q2)的漏极经第五电阻(R5)与Reset信号线连接；所述方法包括如下步骤：(1)在CORE电压上电瞬间T0时刻，三极管(Q1)的基极电压V1处于低电平，场效应管(Q2)的栅极电压V2处于低电平，场效应管(Q2)的漏极电压V3处于高电平，此后第一电阻(R1)、第一电容(C1)和第二电容(C2)组成的RC电路开始充电，第二电容(C2)两端电压开始上升，同时第三电阻(R3)和第三电容(C3)也开始充电；(2)在T1时刻，第三电容(C3)两端电压将场效应管(Q2)导通，此时V1两端电压仍不能使三极管(Q1)导通，V1维持处于低电平，V2变化为高电平，V3变化为低电平；(3)在T2时刻，第二电容(C2)两端电压将三极管(Q1)导通，V1变化为高电平，V2变化为低电平，V3变化为高电平，T2之后的时间里V3一直维持处于高电平；其中，所述T1为第三电容(C3)两端电压将场效应管(Q2)导通、V2从低电平变到高电平所需的时间，所述T2为第二电容(C2)两端电压将三极管(Q1)导通、V1从低电平变到高电平所需的时间。