| 发明名称 | 硅穿孔结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种硅穿孔结构及其形成方法，该硅穿孔结构包括连通晶片的第一面与第二面的穿孔洞、填满穿孔洞的导电层、直接接触并围绕导电层的穿孔洞介电环、直接接触并围绕穿孔洞介电环的第一导电环、以及直接接触并围绕第一导电环又为晶片所围绕的第一介电环。 | ||
| 申请公布号 | CN102760710B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201110105754.X | 申请日期 | 2011.04.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郭建利;林佳芳 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种硅穿孔结构，包括：晶片，包括第一面与第二面；穿孔洞，连通该第一面与该第二面；导电层，填满该穿孔洞中；穿孔洞介电环，直接接触并围绕该导电层；第一导电环，直接接触并围绕该穿孔洞介电环；第一介电环，直接接触并围绕该第一导电环，并为该晶片所围绕；多层金属结构，位于该第一面上并包括第一导电结构、第二导电结构与第三导电结构；第一导电环第一延伸部，由该第一导电结构所构成；第一导电环第三延伸部，由该第三导电结构所构成；以及导电层第二延伸部，由该第二导电结构所构成，其中该第一导电环第一延伸部与该第一导电环第三延伸部一起将该导电层第二延伸部夹置其中，以屏蔽该导电层第二延伸部。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||