| 发明名称 | 钨烧结体溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，磷含量为1重量ppm以下，其余为其它不可避免的杂质和钨。钨的异常晶粒生长和靶强度下降受到磷含量的显著影响，特别是磷超过1重量ppm的情况下，在钨靶中存在异常生长的结晶粒子，因此强烈认识到钨中含有的磷为有害的杂质，并且应进行控制以使其尽可能少，以防止钨的异常晶粒生长和提高靶制品成品率是本发明的课题。 | ||
| 申请公布号 | CN102046822B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN200980120540.0 | 申请日期 | 2009.04.16 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 铃木了;小田国博 |
| 分类号 | C22C27/04(2006.01)I;B22F3/105(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C22C27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，磷含量为1重量ppm以下，其余为其它不可避免的杂质和钨，产生粒径超过50μm的异常晶粒的区域保留在从表层起1mm以内的层的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||