PLDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种PLDMOS的制造方法，沟道区的形成工艺包括如下步骤：采用光刻工艺形成一光刻胶窗口将N阱的形成区域打开；采用多次N型离子注入工艺在N阱形成区域形成N阱；采用灰化处理的工艺将一定厚度的光刻胶去除使窗口扩大；进行阈值电压调整注入形成阈值电压调整注入区。本发明方法通过在阈值电压调整注入之前对光刻胶进行灰化处理使注入的窗口变大，能使得阈值电压调整注入区大于等于N阱的横向尺寸，使沟道区各位置处都进行了阈值电压调整，消除了由于沟道区边缘处存在未被阈值电压调整的区域而对器件的DIBL效应产生的影响，从而能大大降低器件的DIBL效应，改善器件的性能。

主权项

一种PLDMOS的制造方法，其特征在于，PLDMOS的沟道区由一N阱以及形成于所述N阱表面内的阈值电压调整注入区组成，所述沟道区的形成工艺包括如下步骤：步骤一、采用光刻工艺将所述N阱的形成区域打开，所述N阱形成区域外用光刻胶覆盖，所述光刻胶在所述N阱的形成区域形成一窗口；在所述窗口的边缘处，所述窗口的侧壁为厚度逐渐增加的倾斜结构，使所述窗口的底部横向尺寸小于顶部横向尺寸；步骤二、采用多次N型离子注入工艺在所述N阱形成区域形成所述N阱；在所述窗口的边缘处，所述N阱的N型离子注入会穿过一定厚度的所述窗口的侧壁而使所述N阱的横向尺寸大于所述窗口的底部横向尺寸、以及小于所述窗口的顶部横向尺寸；步骤三、采用灰化处理的工艺将一定厚度的所述光刻胶去除，被去除的所述光刻胶的厚度满足，使所述窗口的底部横向尺寸扩大到大于等于所述N阱的横向尺寸位置处；步骤四、进行阈值电压调整注入形成所述阈值电压调整注入区，所述窗口的底部横向尺寸的扩大使所述阈值电压调整注入区的横向尺寸大于等于所述N阱的横向尺寸，使所述沟道区各位置处都进行了阈值电压调整。