| 发明名称 | 半导体元件以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够抑制允许电流量的降低并且小型化的半导体元件以及半导体装置。半导体元件(10)具备：基板(201)；第一区域(203)，在基板(201)形成有多个第一区域(203)，上述第一区域(203)为正六边形或者正六边形沿规定的方向延伸而成的形状，上述第一区域(203)包括第一导电型的杂质；以及第二区域(204)，其形成于基板(201)，该第二区域(204)具有等距离地包围第一区域(203)的框状的形状，该第二区域(204)包括与第一导电型不同的第二导电型的杂质的多个区域的框状的形状的边彼此相邻配置。 | ||
| 申请公布号 | CN105322025A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510462840.4 | 申请日期 | 2015.07.31 |
| 申请人 | 拉碧斯半导体株式会社 | 发明人 | 岩本一成 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 舒艳君;李洋 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，具备：基板；第一区域，在所述基板形成有多个第一区域，所述第一区域为正六边形或者正六边形沿规定的方向延伸而成的形状，所述第一区域包括第一导电型的杂质；以及第二区域，其形成于所述基板，该第二区域具有等距离地包围所述第一区域的框状的形状，该第二区域包括与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的多个区域的所述框状的形状的边彼此相邻配置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||