发明名称 |
形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法 |
摘要 |
本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法,所述形成二氧化硅基层的组成物,包含:选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物;以及溶剂,其中,具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生,因此能极小化形成的层中的缺陷。 |
申请公布号 |
CN105315679A |
申请公布日期 |
2016.02.10 |
申请号 |
CN201410779783.8 |
申请日期 |
2014.12.16 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
裵镇希;郭泽秀;李汉松;赵娟振;黄丙奎;金补宣;朴玺美;朴银秀;徐珍雨;任浣熙;张俊英;韩权愚 |
分类号 |
C08L83/16(2006.01)I;C09D1/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C08L83/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马雯雯;臧建明 |
主权项 |
一种用以形成二氧化硅基层的组成物,包括:二氧化硅基化合物,包括氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合;以及溶剂;其中,具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。 |
地址 |
韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号 |