| 发明名称 | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底，在所述半导体衬底的正面外延生长成的N-漂移区；在上述N-漂移区上制备形成栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在半导体衬底表面形成栅极结构处设有刻蚀沟槽，在所述刻蚀沟槽内注入P型掺杂剂，P型掺杂剂扩散形成P型屏蔽层。本发明公开的绝缘栅双极型晶体管通过在栅极的下方加入一个P型屏蔽层，能缓解现有的IGBT导通压降大的问题，并消除关断时P型基区和N-漂移区的曲面发生的电场集中，从而能提高击穿电压，确保IGBT工作过程中的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105322003A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510636248.1 | 申请日期 | 2015.09.30 |
| 申请人 | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 | 发明人 | 赵喜高 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人 | 廉红果;温洁 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括半导体衬底，在所述半导体衬底的正面外延生长成的N‑漂移区；在上述N‑漂移区上制备形成的栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成包括集电极的下部端子；在半导体衬底表面形成栅极结构处设有刻蚀沟槽，在所述刻蚀沟槽内注入P型掺杂剂，P型掺杂剂扩散形成P型屏蔽层。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1 | ||