| 发明名称 | 过孔及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本公开涉及过孔及其形成方法。根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包括：第一金属线，其设置在第一绝缘层中；以及过孔，其具有部分，该部分围绕第一金属线的第一侧壁的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN105321930A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510293644.9 | 申请日期 | 2015.06.01 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | H·梅尔兹纳 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张昊 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一金属线，设置在第一绝缘层中；以及过孔，具有部分，所述部分围绕所述第一金属线的第一侧壁的部分。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||