| 发明名称 | 形成半导体布置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了形成半导体布置的方法。形成半导体布置的方法包括：在沟槽中的衬底上或者在衬底上的介电柱之间形成第一核。形成第一核包括以相对于衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束并且同时以相对于衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束。通过旋转衬底同时施加第一源材料束和第二源材料束由第一核形成第一半导体柱。使用第一源材料束和第二源材料束在沟槽中或者在介电柱之间形成第一半导体柱将第一半导体柱的形成限制于单一方向。 | ||
| 申请公布号 | CN105321803A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510091142.8 | 申请日期 | 2015.02.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈伟杰;林浩雄;陈书涵;林佑儒;吴政宪;柯志欣;万幸仁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成半导体布置的方法，包括：在第一介电柱和第二介电柱之间的衬底上形成第一核，形成所述第一核包括：以相对于所述衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束；和以相对于所述衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束；以及通过旋转所述衬底，同时施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半导体柱。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||