发明名称 |
内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装结构 |
摘要 |
本发明涉及一种内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装。所述内埋图形衬底包括衬底本体、第一线路层、多个导电通道及第二线路层。所述第一线路层内埋于所述衬底本体的第一表面中且显露于所述衬底本体的第一表面。所述第一线路层包括彼此间隔开的多个个别接垫。所述导电通道位于所述衬底本体的一通孔中且彼此间隔开。每一导电通道连接每一个别接垫及所述第二线路层。 |
申请公布号 |
CN105321922A |
申请公布日期 |
2016.02.10 |
申请号 |
CN201410258047.8 |
申请日期 |
2014.06.11 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
陈家庆;廖国成;高金利 |
分类号 |
H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/498(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
林斯凯 |
主权项 |
一种内埋图形衬底,其包括:衬底本体,其具有第一表面、第二表面及至少一个通孔;第一线路层,其内埋于所述衬底本体的第一表面,且显露于所述衬底本体的第一表面,所述第一线路层包括多个个别接垫,所述个别接垫彼此间隔一间隙;多个导电通道,其位于同一通孔中,所述导电通道彼此间隔一间隙,且每一导电通道连接每一个别接垫;以及第二线路层,其位于所述衬底本体的第二表面上,所述导电通道连接到所述第二线路层,其中每一导电通道、每一个别接垫及所述第二线路层形成导电组件,所述导电组件具有第一部分及第二部分,其中所述第一部分与所述第二部分不对称。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 |