发明名称 |
一种半导体致冷器驱动电路 |
摘要 |
一种半导体致冷器驱动电路,包括晶体三极管,MOS管,第一、二、三、四、五电阻,二极管,光电池,半导体致冷器;第一电阻一端与控制电压连接,另一端与第二电阻一端、晶体三极管基极连接,第二电阻另一端与第三电阻一端、晶体三极管发射极连接,晶体三极管集电极与电源V+连接,第三电阻另一端与二极管阴极、光电池第一脚连接,二极管阳极、光电池第二脚接地,光电池第五脚与第四电阻一端、MOS管栅极连接,光电池第八脚与第四电阻另一端、MOS管源极和半导体致冷器一端连接,MOS管漏极与电源VL连接,半导体致冷器另一端与第五电阻一端连接,第五电阻第二端接地。本实用新型提高了控温精度。 |
申请公布号 |
CN205026989U |
申请公布日期 |
2016.02.10 |
申请号 |
CN201520761059.2 |
申请日期 |
2015.09.29 |
申请人 |
哈尔滨新世科技有限责任公司 |
发明人 |
王明波 |
分类号 |
F25B21/02(2006.01)I;F25B49/00(2006.01)I |
主分类号 |
F25B21/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体致冷器驱动电路,包括光电池的控制驱动电路,驱动MOS管的光电池电路,驱动半导体致冷器的MOS管电路和半导体致冷电路,其特征在于:所述的光电池的控制驱动电路包括第一电阻(R1),第二电阻(R2),第三电阻(R3)和晶体三极管(Q1),第一电阻(R1)的一端与控制电压连接,第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端、晶体三极管(Q1)的基极连接,第二电阻(R2)的另一端与第三电阻(R3)的一端、晶体三极管(Q1)发射极连接,晶体管(Q1)的集电极与电源V+连接;所述的驱动MOS管的光电池电路包括光电池(U1),二极管(D1)和第四电阻(R4),光电池(U1)的第一脚与第三电阻(R3)的另一端、二极管(D1)的阴极连接,光电池(U1)的第二脚与二极管(D1)的阳极连接并接地,光电池(U1)的第五脚与MOS管(Q2)栅极、第四电阻(R4)的一端连接,光电池(U1)的第八脚与MOS管(Q2)源极、第四电阻(R4)的另一端、半导体致冷器(ZLQ)的一端连接;所述的驱动半导体致冷器的MOS管电路包括功率MOS管(Q2),MOS管(Q2)栅极与光电池(U1)的第五脚、第四电阻(R4)的一端连接,MOS管(Q2)漏极与电源VL连接,MOS管(Q2)源极与光电池(U1)的第八脚、第四电阻(R4)的另一端、半导体致冷器(ZLQ)的一端连接;所述的半导体致冷电路包括半导体致冷器(ZLQ)和第五电阻(R5),半导体致冷器(ZLQ)的一端与MOS管(Q2)源极、光电池(U1)的第八脚、第四电阻(R4)的另一端连接,半导体致冷器(ZLQ)的另一端与第五电阻(R5)的一端连接,第五电阻(R5)的另一端接地。 |
地址 |
150090 黑龙江省哈尔滨市南岗集中区千山路1道街高科技开发区22号楼A栋 |