发明名称 多种方式的充电组合结构
摘要 本实用新型公开了多种方式的充电组合结构,包括蓄电池、一路或多路DC/DC电路,所述一路或多路DC/DC电路均连接在蓄电池上,每路DC/DC电路相互独立工作,多路DC/DC电路的输入端均相互并联,每路DC/DC电路包括信号输入端Vin、信号输出端Vout、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、电解电容C1、电解电容C2、电解电容C3和电感L1。本实用新型通过上述结构,能够满足多种型号的电池充电,灵活性高,非常适合在电池化成领域中使用。
申请公布号 CN205029370U 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201520701690.3 申请日期 2015.09.11
申请人 大英德创精工设备有限公司 发明人 李和平;钟其水;赵勇;徐顺刚;高小心
分类号 H02J7/00(2006.01)I 主分类号 H02J7/00(2006.01)I
代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人 谢敏
主权项 多种方式的充电组合结构,其特征在于,包括蓄电池、一路或多路DC/DC电路,所述一路或多路DC/DC电路均连接在蓄电池上,每路DC/DC电路相互独立工作,多路DC/DC电路的输入端均相互并联;每路DC/DC电路包括信号输入端Vin、信号输出端Vout、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、电解电容C1、电解电容C2、电解电容C3和电感L1,所述信号输入端Vin连接电解电容C1,电解电容C1另一端连接MOS管M4的源极S,MOS管M4的漏极d连接MOS管M2的源极S,MOS管M2的漏极d同时连接MOS管M1的漏极d和输入信号端Vin,MOS管M1的源极S连接MOS管M3的漏极d,MOS管M3的源极S同时连接MOS管M4的源极S、电解电容C1的一端和电解电容C3的一端,电解电容C3的另一端还同时连接电感L1和信号输出端Vout,电感L1的一端还连接MOS管M1的源极S,MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的栅极g连接信号控制端,在电解电容C1的两端还并联电解电容C2,MOS管M3的源极S和MOS管M4的源极S均接地,在MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4中的漏极d和源极S之间跨接二极管D,二极管D的负极连接MOS管的漏极d,二极管D的正极连接MOS管的源极S。
地址 629000 四川省遂宁市大英县工业集中发展区景家坝