锗硅HBT器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT，集电区由形成于有源区中的一N型离子注入区组成，基区由形成于有源区上的P型锗硅外延层组成，发射区由形成于基区上部的N型多晶硅组成。基区的尺寸小于有源区的尺寸，通过在基区周侧的有源区上方形成金属接触来引出集电极。本发明能大大缩小器件的面积、减小器件的基区-集电区的结电容、提高器件的频率特征，集电区不需要成本昂贵的外延工艺，能降低工艺成本。本发明公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。

主权项

一种锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成浅沟槽和有源区；步骤二、在所述浅沟槽中填充氧化物形成浅槽场氧；步骤三、在所述有源区中进行N型杂质离子注入形成集电区；所述集电区的N型离子注入工艺条件为：注入剂量1e12cm^‑2～5e14cm^‑2，注入能量为20KeV～400KeV；步骤四、在所述有源区上方形成基区，所述基区由一P型硅锗外延层刻蚀后形成；所述基区的尺寸小于所述有源区的尺寸，且所述基区位于所述有源区的中央区域的上方；所述基区和所述集电区形成接触；步骤五、在所述基区上方形成发射区，所述发射区由N型多晶硅刻蚀后形成；所述发射区的尺寸小于所述基区的尺寸，且所述发射区位于所述基区的中央区域的上方；所述发射区和所述基区形成接触；和所述发射区相接触的所述基区为本征基区，所述本征基区外侧的为外基区；所述发射区的N型多晶硅采用离子注入工艺进行掺杂并采用热退火工艺进行激活，离子注入的工艺条件为：注入杂质为磷或砷、注入剂量5e14cm^‑2～1e16cm^‑2、注入能量为20KeV～400KeV，热退火的工艺条件为：退火温度为950℃～1050℃、退火时间为5秒～30秒；步骤六、采用离子注入工艺在所述外基区中掺入P型杂质；步骤七、在所述外基区的顶部形成金属接触，该金属接触和所述外基区接触并引出基极；在所述发射区的顶部形成金属接触，该金属接触和所述发射区接触并引出发射极；在所述基区外侧的所述有源区中形成金属接触，该金属接触和所述集电区接触并引出集电极。