通过检测自然阈值电压分布预告存储器中的编程干扰

摘要

通过确定存储元件集合对编程干扰的敏感性(1404)和采取相应预防措施(1406，1408，1410，1412)在编程操作期间在非易失性存储系统中减小编程干扰，以在需要的情况下，减小编程干扰出现的可能性。在数据下部页的编程期间，通过跟踪编程为特定状态的存储元件、以及确定数量N1和数量N2＞N1的存储元件达到特定状态需要多少编程脉冲来确定存储元件集合的自然阈值电压分布。也可以使用温度和字线位置确定对编程干扰的敏感性。预防措施(1415)可以涉及使用较高通过电压(1416)、或者放弃数据上部页(1418)或整体块(1420)的编程。在一些情形中，编程在没有预防措施的情况下继续(1414)。

主权项

一种用于操作非易失性存储系统的方法，包括：通过向非易失性存储系统中存储元件块(700，710)中的选定字线(WLn)施加第一系列编程脉冲(1305－1340)来执行第一编程阶段，选定字线与所述块的选定存储元件通信；确定选定存储元件的第一部分的阈值电压何时超过验证电平(Vva，Vvb，Vvb’)，以及识别所述第一系列中的相关联编程脉冲；确定所述选定存储元件的第二部分的阈值电压何时超过验证电平，以及识别所述第一系列中的相关联编程脉冲；至少部分地基于相关联编程脉冲的脉冲数之间的差异，确定是否指示了用以减小所述选定存储元件中的编程干扰的概率的预防措施，其中，所述脉冲数指示所述第一系列编程脉冲中相关联编程脉冲的各顺序位置；以及如果指示所述预防措施，则实施所述预防措施。