| 发明名称 | 用于沉积混合晶体层的PVD混合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过PVD方法在基底上沉积具有至少两种不同金属(M1，M2)的混合晶体层的方法。为了提供通过PVD方法在基底上沉积具有至少两种不同金属的混合晶体层的方法，其中通过该方法可获得混合晶体层，该混合晶体层尽可能不含大粒子(微滴)并且具有尽可能高比例的希望结晶相，而且是高度结晶的，本发明提出：在同时实施i)双磁控溅射或高能脉冲磁控溅射(HIPIMS)的阴极溅射法以及ii)电弧气相沉积(电弧PVD)的情况下进行所述混合晶体层的沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN102933737B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201180022438.4 | 申请日期 | 2011.05.03 |
| 申请人 | 瓦尔特公开股份有限公司 | 发明人 | 沃尔夫冈·恩格哈特;法伊特·席尔 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 张爽;郭国清 |
| 主权项 | 通过PVD方法在基底上沉积铝铬氧化物的单相混合晶体层的方法，其特征在于：在同时实施i)双磁控溅射或高能脉冲磁控溅射(HIPIMS)的阴极溅射法以及ii)电弧气相沉积(电弧PVD)的情况下进行所述混合晶体层的沉积，其中至少一个靶用于实施所述双磁控溅射或者高能脉冲磁控溅射(HIPIMS)的阴极溅射法，所述靶含有至少铝和任选另外包含铬，和至少一个含有至少铬的靶用于实施所述电弧气相沉积方法(电弧PVD)。 | ||
| 地址 | 德国蒂宾根 | ||